Dresden, 28.3.2012: EU und Freistaat Sachsen haben für Infineons neue 300-Millimeter-Fabrik für Leistungs-Halbleiter in Dresden 3,5 Millionen Euro Forschungsförderung bewilligt. Den Förderbescheid hat die sächsische Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) heute an das Unternehmen übergeben. Mit dem Geld sollen laut Angaben des Ministeriums und des “Europäischen Fonds für Regionale Entwicklung” (EFRE) “grundlegende Prozesse für eine Hochvolumenproduktion von Leistungshalbleitern auf 300-mm-Wafern” entwickelt werden. Dabei soll die sogennante IGBT-Technik, eingesetzt, die Infineon zunächst auf einer Pilotlinie für besonders stromeffiziente Leistungs-Halbleiter entwickelt hatte und die das Unternehmen nun in die Massenproduktion in Dresden überführen will. „Als Technologieministerin und als Vorsitzende der Arbeitsgruppe Mikroelektronik liegt es mir am Herzen, die Schlüsseltechnologie ,Mikro- und Nanoelektronik’ im Freistaat weiter zu stärken”, erklärte von Schorlemer. “Das vorliegende Vorhaben ist ein konkreter Beitrag zur Entwicklung und Produktion von Leistungshalbleitern für weltweit wachsende Märkte, wie energieeffiziente Stromversorgung oder kompakte Leistungsmodule in Elektrofahrzeugen.“ Neue Leistungs-Halbleiter-Fab kostet rund 350 Millionen Euro – teils über Forschungsförderung finanziert Infineon hatte im Sommer 2011 die frühere Dresdner Speicherchip-Fabrik seiner insolventen Tochter Qimonda gekauft, um sie auf die Produktion von …
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